EEM214 Elektronik I: 2006–2007 Bahar Ara Sınavı, Fotoğraf Kopyası ve El Yazılı Ek Sınav

Fotoğraflanmış sayfalardan metne aktarılan bu arşiv kaydı, soru metinleri ile okunabilen çözüm adımlarını içeriyor. Fotoğraflar özel arşivde saklanıyor; indirilebilir dosya bulunmuyor.

Bu fotoğraflar arşivde yanlışlıkla Elektromanyetik I (EEM224) klasörüne konmuştu; üzerlerinde EEM214 Elektronik I yazıyor. Basılı 2006–2007 bahar föyünde Prof. Dr. Turhan Çiftçibaşı ve Yrd. Doç. Dr. Mustafa Doğan adları var. Aynı sınavın taranmış asılları ve cevap anahtarları için 2006–2007 Bahar Ara Sınav ve Final Soruları yazısına bakabilirsiniz. El yazılı ek sınav sayfası bir arkadaşın notudur; kişisel bilgiler çıkarıldı.

Yarı iletkende akım

n-tipi silisyum: ND=5×10¹⁷ cm⁻³, μn=700 cm²/(V·s), T=300 K, q=1,602×10⁻¹⁹ C. Kesit 10 μm×10 μm, uzunluk 0,1 cm, uygulanan gerilim 10 V. Çözüm σ≈56,07 (Ω·cm)⁻¹, R≈1783 Ω, I≈5,6 mA buluyor.

Diyot delinmesi

Emax=300 kV/cm, VR=1200 V, NA≫ND ve VR≫V₀. Emax²=2qNDVR/εs bağıntısından ND≈2,42×10¹⁴ cm⁻³. εs=11,7ε₀ kullanılıyor.

Kırpıcılar ve Zener düzenleyici

Silisyum diyotlu kırpıcılarda birinci çıkış +4,7 V’ta, ikinci çıkış +3,7 ve −2,7 V’ta sınırlandırılıyor. Zener sorusunda yük 2–4 Ω, hedef çıkış 6 V, giriş 15–20 V, minimum Zener akımı 50 mA. Kaynak seri direnç için yaklaşık 3 Ω, maksimum Zener akımı için yaklaşık 3,2 A veriyor.

FET çalışma noktası

10 V beslemeli devrede kapı bölücüsü 5 kΩ ve 3 kΩ, RD=RS=4 kΩ, kn=0,5 mA/V², VTN=−2 V. VG=3,75 V. Kaynak VGS≈−0,05 V, ID≈0,95 mA, VDS≈2,4 V bulup doyum koşulunu kontrol ediyor.

JFET tasarımında IDSS=6 mA, VP=−3 V, hedef ID=2 mA ve VDS=5 V; besleme 8 V. Çözüm VGS≈−1,3 V, RS≈650 Ω, RD≈850 Ω ve kapı direnci için R₁≫10 kΩ öneriyor.

El yazılı ek sınav

Ayrı sayfada diyot/BJT gerilim aktarma eğrileri, kapasitörle bağlanmış iki FET katının DC öngerilim tasarımı, sıcaklıkla kn değiştiğinde çalışma noktası ve ±VCC besleme devresi çizimi soruluyor. Bu sayfanın tarihi okunamıyor; bazı devre değerleri üst üste yazıldığı için eksiksiz devre çözümü çıkarılmadı.